Vie flash doit son nom à la dispose de sa micropuce, de telle espèce que sa compartiment de cellules de mémoire est effacée en une simple action ou "Flash".
Les mémoires NOR et NAND Éblouissement ont été inventées par le Dr Fujio Masuoka de Toshiba en 1984. Le nom "Flash" a été suggéré étant donné que le procédé d'effacement du enfermé de la information rappelle un flash d'appareil photo, et son nom a existé inventé pour exprimer combien il pouvait être effacé plus rapidement "en un éclair". Le Dr. Masuoka a détaillé l'invention lors de une réunion internationale en ce qui concerne les dispositifs électroniques (IEDM) qui s'est tenue à San Jose, en Californie, en 1984. Intel a reconnu la capacité de l'invention et a introduit la première puce flash commerciale de type NOR en 1988, avec de grand temps d'effacement et d'écriture.
La information flash est une forme de mémoire seule volatile qui peut être effacée et réécrite électriquement, cela qui signifie qu'elle n'a pas la nécessité d'énergie pour tenir les données stockées dans la puce. Sous outre, la mémoire flash offre un ensemble de temps d'accès en lecture rapides et une meilleure résistance aux chocs que les disques durs. Ces caractéristiques expliquent la popularité de la mémoire éclat pour des applications comme les le stockage sur des pièces alimentés par de nombreuses piles.
La mémoire flash est une avancée de l'EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) qui permet d'effacer ou d'écrire divers emplacements mémoire en une seule opération de programmation. Contrairement à une EPROM (Electrically Programmable Read-Only Memory), une EEPROM peut être programmée et effacée électriquement plusieurs coup. Une EEPROM légitime ne permet d'effacer ou d'écrire qu'à un seul occasion tant, ce laquelle signifie que la mémoire flash peut fonctionner à une vitesse effective plus élevée lorsque ces systèmes l'utilisent; elle donne de quoi lire et d'écrire à divers emplacements en même temps.
En se référant au type de porte logique utilisé dans chaque cellule de rangement, la mémoire flash est construite en une paire de variétés et nommée NOR flash et NAND flash.
Une mémoire flash stocke un bit d'information dans un réseau de transistors, appelés "cellules". Cependant, les dispositifs de information flash récents, nommés dispositifs à acclimatées multi-niveaux, peuvent déposer plus d'un chiffre par cellule par rapport à la quantité d'électrons placés sur la grille flottante d'une cellule. La acclimatées flash NOR ressemble à un mécanisme à semi-conducteurs comme les transistors, mais elle possède une paire de portes. La 1ère est la grille de contrôle (CG) et la minute est une entrée flottante (FG) qui est blindée et aussi isolée tout autour par une pieute d'oxyde. Comme une FG est isolée par sa stratum d'oxyde de providence, les électrons laquelle y sont rangés sont piégés et les données y sont stockées. D'autre part, NAND Flash utilise l'injection en https://www.sauve-souris.fr/service-informatique-des-particuliers/depannage-informatique/telemaintenance-et-depannage-informatique-a-distance/ tunnel pour l'écriture et la libération en tunnel pour l'effacement.
Le flash NOR, développé par Intel en 1988, offre la caractéristique unique de longues longévités d'écriture et d'effacement et son endurance aux cycles d'effacement varie de 10 000 à cent 000, cela le rend adapté au téléphone stockage de cryptes de programmes lequel doivent être rarement mis à jour, tel que dans les appareils photo numériques et les PDA. Toutefois, la demande de cartes s'est passée plus tard vers le flash NAND bien moins cher; le éclat basé sur NOR est jusqu'à maintenant la source de tous les supports amovibles.
Suivis en 1989, Samsung et Toshiba ont créé le flash NAND avec une densité plus élevée, un coût par bit plus bas que ce flash NOR avec des temps d'écriture et d'effacement plus rapides, mais il ne permet que l'accès à des données séquentielles, et non aléatoires comme le flash NOR, ceci rend le flash NAND adapté aux objets de stockage de masse tels que les cartes mémoire. SmartMedia a été le premier support interchangeable basé sur NAND et de divers autres sont dans l'origine de cette évolution, comme la majorité des MMC, Secure Quantitatif, xD-Picture Cards et Memory Stick. Cette mémoire flash se révèle être fréquemment utilisée pour contenir des cryptes de contrôle comme que le mécanisme d'entrée/sortie de hydroxyde (BIOS) d'un pc. Lorsque le BIOS doit être modifié (réécrit), vie éblouissement peut être imprimée en blocs assez qu'en octets, ceci facilite la mise à jour.
D'autre part, vie flash n'est pas pratique de sorte à la ram (RAM) car celle-ci se doit de être adressable au téléphone niveau de l'octet (et non du bloc). Elle est donc utilisée plus comme un enregistrement dur que tel que une mémoire aigre (RAM). Grace à cette particularité, elle est utilisée avec des procédés de fichiers particulièrement conçus qui étendent les écritures au sein du support et gèrent les longs célérité d'effacement des blocs flash NOR. JFFS a été un premier système de fichiers, dépassé par JFFS2. Puis YAFFS est sorti en 2003, traitant spécifiquement du flash NAND, et JFFS2 a été mis à jour pour prendre en charge le flash NAND également. Cependant, en pratique, une grande majorité des systèmes de fichiers suivent l'ancien procédé "" FAT dans des fins de compatibilité.
Bien qu'il soit possible de lire ou d'écrire un octet dans la fois de manière aléatoire, la limitation de cette mémoire flash se trouve être qu'elle doit se trouver être effacée un "bloc" tout à la fois. À se retirer d'un bloc fraîchement effacé, tout byte à l'intérieur de ce bloc a la faculté de être programmé. Toutefois, une fois qu'un octet a subsisté programmé, il pas peut plus se présenter comme modifié jusqu'à ce que le bloc entier soit effacé. En d'autres termes, la mémoire flash (plus précisément la mémoire flash NOR) propose des opérations de lecture et de programmation en accès aléatoire, mais ne peut pas proposer d'opérations de reprise ou d'effacement en accès aléatoire.
Cette fin est partiellement équilibré par certains microprogrammes ou pilotes de systèmes de fichiers important en comptant ces écritures et en remappant dynamiquement ces blocs afin de répartir les affaires d'écriture entre la majorité des secteurs, ou en vérifiant les évangile et en remappant les secteurs de réserve en cas d'échec d'écriture.
En raison de l'usure de la couche d'oxyde isolante autour du mécanisme de rangement des charges, tous les types de mémoire flash s'effacent après un certain beaucoup de fonctions d'effacement allant de 100 000 à 1 millions, mais elle peut probablement être lue un bon nombre illimité de fois. La carte éblouissement est une information facilement réinscriptible et elle écrase sans avertissement avec une forte probabilité d'écrasement des données et donc de perte.
Malgré tous certains avantages évidents, le pire peut se produire dans une situation de défaillance du système, de panne de batterie, d'effacement brusque, de reformatage, de surtension, d'électronique défectueuse et de pervertissement causée par la panne matérielle ou un dysfonctionnement de prestashop; en conséquence, vos données pourraient se présenter comme perdues et endommagées.
La récupération de données sur mémoire flash est un processus de recouvrement des données chez partir d'un support de stockage prédominant lorsqu'il est impossible d'y accéder normalement. La récupération de données sur mémoire flash est un service de récupération de fichiers de mémoire flash qui restaure toutes les photos corrompues et supprimées, même si la carte mémoire a été reformatée. Cela peut être impayé à un dommage physique ou à un dommage logique du support de stockage. Les données sont récupérées aussi si vie flash est endommagée, et plus de 90 % des portées perdues peuvent être restaurées.